DescripciónResistencia a la presión 700v tensión umbral (vgs (th) @ id) - corriente 7a Potencia (pd) 57w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) ≤ 1,7omega @ vgs = 10v, id = 3,5a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 7n70g - TC - tn3 - R serie 7n70g
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 50a Potencia (pd) 120w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 23mwh @ 10v, 25a encapsulado to - 220 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 50n06l - ta3 - serie T 50n06l
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 360w (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, 6a encapsulada to - 247 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 12n80l - t47 - T serie 12n80l
DescripciónResistencia a la presión 700v tensión umbral (vgs (th) @ id) - corriente 12a Potencia (pd) 36w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 0,9 @ vgs = 10v, id = 6,0a encapsulado to - 220f Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 12n70l - tf1 - T serie 12n70l
DescripciónResistencia a la tensión 650v tensión umbral (vgs (th) @ id) corriente 2a Potencia (pd) 45w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) ≤ 5,5 @ vgs = 10v, id = 1,0a encapsulado to - 251 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 2n65g - tm3 - T serie 2n65g
DescripciónVoltaje umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2,5 @ vgs = 10 V encapsulado to - 251 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n60kg - tm3 - T serie 4n60kg
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 18a (pd) 2,5w @ 10v), 18a encapsulada to - 251 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) utd408l - tn3 - R serie utd408l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 7.4a Potencia (pd) 142w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 10v, 3.7a encapsulado to - 263 Field efector tube (mosfet) marca UTC (youshun) 7n65l - tq2 - R serie 7n65l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3.1 @ vgs = 10v, id = 2.2a encapsulando la marca de tubo de efecto de campo to - 251 (mosfet) UTC (youshun) 4n65l - Q - TMS - T serie 4n65l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 12a Potencia (pd) 51w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 0,85 @ vgs = 10v, id = 6,0a encapsulado to - 220f1 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 12n65l - tf1 - T serie 12n65l