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STP3NK80Z

STP3NK80Z-ST(意法半导体)

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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP3NK80Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
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STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST(意法半导体)

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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NK50Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
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STP55NF06L

STP55NF06L-ST(意法半导体)

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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)55A功率(Pd)95W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.7nF@25V工作温度…
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STP20N90K5

STP20N90K5-ST(意法半导体)

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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N90K5封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V工作温度…
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STP15N80K5

STP15N80K5-ST(意法半导体)

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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
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STP80NF06

STP80NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
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  • PaqueteTO-220AB-3
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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF06封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
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STB13N60M2

STB13N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
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  • PaqueteTO-263-2
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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB13N60M2封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温…
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STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST(意法半导体)

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  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)36A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
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STD3NM60N

STD3NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
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  • PaqueteDPAK
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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NM60N封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)3.3A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6Ω@10V,1.65A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)188pF@50V反向传输电容…
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STD36P4LLF6

STD36P4LLF6-ST(意法半导体)

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  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
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  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD36P4LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)36A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20.5mΩ@10V,18A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.85nF@2…
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