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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTB10N95K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
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STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTB120NF10T4
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB120NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)312W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)233nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@25V工作温…
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STB10N95K5

STB10N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTB10N95K5
  • PaqueteD2PAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB10N95K5封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)630pF@100V工作温度-55℃…
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STW15N95K5

STW15N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTW15N95K5
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW15N95K5封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)170W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)410mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)855pF@100V反向传输…
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STF13N65M2

STF13N65M2-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTF13N65M2
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N65M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)430mΩ@5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@100V反向传输电…
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STL3NM60N

STL3NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTL3NM60N
  • PaquetePowerFLAT-8(3.3x3.3)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL3NM60N封装 PowerFLAT-8(3.3x3.3)FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA(Ta),2.2A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(…
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STP11N65M5

STP11N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTP11N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP11N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)480mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)644pF@100V反向传输电…
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STP80N240K6

STP80N240K6-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTP80N240K6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80N240K6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)25.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@100V工作温…
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STD3NK100Z

STD3NK100Z-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTD3NK100Z
  • PaqueteTO-252-2(DPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK100Z封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,1.25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)601pF@25V工作…
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STP14NM50N

STP14NM50N-ST(意法半导体)

  • TipoTripolar / mos / Transistor
  • ModeloSTP14NM50N
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP14NM50N封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)320mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)816pF@50V工作温度…
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