DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 18a Potencia (pd) 104w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 0,33 Omega @ vgs = 10v, id = 9,0a encapsulado to - 220 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 18nm65l - ta3 - T serie 18nm65
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 52w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7a (pd) 1,5 Omega @ 10v, embalaje 2A de la marca de tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) UTC (youshun) 7n80l - tf2 - T serie 7n80l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 7a Potencia (pd) 35W Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,3 Omega @ vgs = 10v, id = 3,5a encapsulado to - 220f Field efector tube (mosfet) marca UTC (youshun) 7n65l - ML - tf3 - T serie 7n65l
DescripciónVoltaje umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id), "4,2 @ vgs = 10 V encapsulado to - 252 Field efector tube (mosfet) marca UTC (youshun) 3n80l - tn3 - R serie 3n80l
DescripciónVoltaje umbral de 700v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 36w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.4a (pd) 2.8omega @ 10v, encapsulada en 2.2a con tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) marca UTC (youshun) 4n70l - tf1 - T serie 4n70l 4n70l - tf1 - T
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) ≤ 2,5 @ vgs = 10v, id = 2,0a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n65kg - TC - tn3 - R serie 4n65kg
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 21w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) marca UTC (youshun) 2n65kl - MT - tf3 - T serie 2n65kl
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 50w (rds (on) @ vgs, id) de 25a de Potencia (pd) de 25a 150 MWH @ 10v, 25a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) utt25p10l - tn3 - R serie utt25p10l
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 370mw (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002 - 7 - F serie 2n7002