Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3050LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 4.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1,8w (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 4.5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (midea) dmp3050lvt - 7 serie dmp30vt
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
Consulta
DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2075UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) 700mw canal 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 75mwh @ 2.9a, 4.5v encapsulado u - dfn2020 - 6 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2075ufdb - 7 serie dmp2075ufdb
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
Consulta
DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6023SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 35a (pd) 3,2w (rds (on) @ vgs, id) 33momega @ 10a, embalaje de 10v to - 252 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6023sk3q - 13 serie dmph6023sk3q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
Consulta
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH8012LPSW-13
  • PaqueteDFN-8(4.9x5.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 53.7a Potencia (pd) Canal de 3.1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 10v, 12a encapsulado dfn - 8 (4.9x5.8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8012lpsw - 13 serie dmth8012lpsw
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
Consulta
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2016UTS-13
  • PaqueteTSSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 8.58a Potencia (pd) 880mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 14.5mohm @ 4.5v, 9.4a encapsulado tssop - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmn2016uts - 13 serie dmn2016uts
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
Consulta
DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2070UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) 830mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 44mwh @ 2a, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2070uq - 7 serie dmp2070uq
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
Consulta
DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP31D0U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Corriente 530ma Potencia (pd) 450mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 400ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp31d0u - 7 serie dmp31d0u
  • PDF DMP31D0U-7.pdf
Consulta
ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP3A17E6TA
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 10v, 3.2a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp3a17e6ta serie zxmp3a17e6ta
  • PDF ZXMP3A17E6TA.pdf
Consulta
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2400UFB4-7
  • PaqueteX2-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 750ma Potencia (pd) 470mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 550mohm @ 4,5v, 600ma encapsulado X2 - dfn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2400ufb4 - 7 serie dmn2400ufb4
  • PDF DMN2400UFB4-7.pdf
Consulta
DMTH6016LFVWQ-7

DMTH6016LFVWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6016LFVWQ-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 41a Potencia (pd) Canal de 1,17w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 16mwh @ 20a, encapsulada en 10v powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth6016lfvwq - 7 serie dmth6016lfvwq
  • PDF DMTH6016LFVWQ-7.pdf
Consulta
Total 1180 Records«Prev1... 4950515253545556...118Next»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.