Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Todos los productos > Memoria > NAND FLASH
W25N01GVZEIG

W25N01GVZEIG-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW25N01GVZEIG
  • PaqueteWSON-8-EP(6.1x8)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB Organización de memoria 128M x 8 frecuencia de reloj 104 MHz voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento wson - 8 - EP (6,1x8) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w25n01gvzeig
  • PDF W25N01GVZEIG.pdf
Consulta
W29N02KVSIAF

W29N02KVSIAF-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N02KVSIAF
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n02kvsiaf
  • PDF W29N02KVSIAF.pdf
Consulta
W29N01HVSINA

W29N01HVSINA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N01HVSINA
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n01hvsina
  • PDF W29N01HVSINA.pdf
Consulta
W25N02KVZEIR

W25N02KVZEIR-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW25N02KVZEIR
  • PaqueteWSON-8-EP(6x8)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj 104 MHz voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento wson - 8 - EP (6x8) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w25n02kvzeir
  • PDF W25N02KVZEIR.pdf
Consulta
W29N01HVBINA

W29N01HVBINA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N01HVBINA
  • PaqueteVFBGA-63(9x11)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 (9x11) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n01hvbina
  • PDF W29N01HVBINA.pdf
Consulta
W29N02GVBIAA

W29N02GVBIAA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N02GVBIAA
  • PaqueteFBGA-63(9x11.5)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento fbga - 63 (9x11.5) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n02gbbiaa
  • PDF W29N02GVBIAA.pdf
Consulta
W29N01HVBINF

W29N01HVBINF-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N01HVBINF
  • PaqueteVFBGA-63(9x11)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 (9x11) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n01hvbinf
  • PDF W29N01HVBINF.pdf
Consulta
W25M02GVZEIG

W25M02GVZEIG-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW25M02GVZEIG
  • PaqueteWSON-8-EP(6x8)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj 104 MHz voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento wson - 8 - EP (6x8) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w25m02gvzeig
  • PDF W25M02GVZEIG.pdf
Consulta
W29N04GZBIBA

W29N04GZBIBA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N04GZBIBA
  • PaqueteVFBGA-63(9x11)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 (9x11) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n04gzbiba
  • PDF W29N04GZBIBA.pdf
Consulta
W29N08GVSIAA

W29N08GVSIAA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N08GVSIAA
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n08gvsiaa
  • PDF W29N08GVSIAA.pdf
Consulta
Total 111 Records«Prev1234...12Next»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.