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W29N04GVSIAA

W29N04GVSIAA-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW29N04GVSIAA
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca winbond (huabang) modelo w29n04gvsiaa
  • PDF W29N04GVSIAA.pdf
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W25N01GWZEIG

W25N01GWZEIG-WINBOND(华邦)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloW25N01GWZEIG
  • PaqueteWSON-8-EP(6x8)
  • FabricanteWINBOND(华邦)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB Organización de memoria 128M x 8 frecuencia de reloj 104 MHz voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento wson - 8 - EP (6x8) Nand flash marca winbond (huabang) modelo w25n01gwzeig
  • PDF W25N01GWZEIG.pdf
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IS34ML02G084-TLI

IS34ML02G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML02G084-TLI
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml02g084 - tli
  • PDF IS34ML02G084-TLI.pdf
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IS37SML01G1-LLI

IS37SML01G1-LLI-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS37SML01G1-LLI
  • PaqueteWSON-8-EP(6x8)
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB Organización de memoria 128M x 8 frecuencia de reloj 104 MHz voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento wson - 8 - EP (6x8) Nand flash marca issi (american core) modelo is37sml01g1 - lli
  • PDF IS37SML01G1-LLI.pdf
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IS34ML01G084-TLI-TR

IS34ML01G084-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML01G084-TLI-TR
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml01g084 - tli - TR
  • PDF IS34ML01G084-TLI-TR.pdf
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IS34ML04G084-TLI

IS34ML04G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML04G084-TLI
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml04g084 - tli
  • PDF IS34ML04G084-TLI.pdf
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IS34ML01G081-TLI

IS34ML01G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML01G081-TLI
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml01g081 - tli
  • PDF IS34ML01G081-TLI.pdf
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IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML01G081-TLI-TR
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml01g081 - tli - TR
  • PDF IS34ML01G081-TLI-TR.pdf
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IS34ML04G081-TLI

IS34ML04G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS34ML04G081-TLI
  • PaqueteTSOP-48
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 Nand flash marca issi (american core) modelo is34ml04g081 - tli
  • PDF IS34ML04G081-TLI.pdf
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IS21ES08G-JCLI-TR

IS21ES08G-JCLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloIS21ES08G-JCLI-TR
  • PaqueteVFBGA-153(11.5x13)
  • FabricanteISSI(美国芯成)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 64GB la memoria organiza 8g x 8 frecuencia de reloj 200 MHz voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 153 (11.5x13) Nand flash marca issi (american core) modelo is21es08g - jcli - TR
  • PDF IS21ES08G-JCLI-TR.pdf
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Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.