О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2004DWK-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004DWK-7 系列 DMN2004DWK
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN62D0UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 320mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UDW-7 系列 DMN62D0UDW
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN6040SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SSDQ-13 系列 DMN6040SSDQ
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002AQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002AQ-7 系列 2N7002AQ
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXM61N03F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03F 系列 ZXM61N03F
  • PDF ZXM61N03F.pdf
DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC2053UVTQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.6A;3.2A мощность (Pd) 700mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5V;74mΩ@3.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2053UVTQ-7 系列 DMC2053UVTQ
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN61D8LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 470mA мощность (Pd) 390mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@150mA,5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D8LQ-7 系列 DMN61D8LQ
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS127SSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 70mA мощность (Pd) 610mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,16mA корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS127SSN-7 系列 BSS127SSN
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3007SCGQ-7
  • КорпусV-DFN3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.8mΩ@11.5A,10V корпус V-DFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3007SCGQ-7 系列 DMP3007SCGQ
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2004WK-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 400mA мощность (Pd) 250mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@430mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004WK-7 系列 DMP2004WK
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 4849505152535455...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd