О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > MICRONE(南京微盟)
MICRONE(南京微盟)

MICRONE(南京微盟)

Категория：
линейный стабилизатор (LDO)DC-DC преобразовательAC-DCконтроллеры и стабилизаторыисточник опорного напряжениямикросхема супервизора и сбросауправление батареейАЦПLEDдрайверMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
DFN-20LDFN-4(1x1)DFN-6-EP(2x2)DFN-8-EP(2x2)DIP-7DIP-8ESOP-8FBP-4(1x1)FBP-6L(2x2)SON-4-EP(1x1)SOP-6SOP-7SOP-8SOP-8-4.2mmSOP-8-EPSOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-5SOT-23-6SOT-323-5SOT-89SOT-89-5TO-220TO-220FTO-252TO-92
Ещё ⤵Мультивыбор
MEL7112PG-N

MEL7112PG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельMEL7112PG-N
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание欠压защита 2.5V входное напряжение 2.7-5.5V выходной ток 120mA ток в режиме ожидания 140uA 热выключение защита 140℃高精度 5% 封装 SOT-89 LED驱动芯片 бренд MICRONE MEL7112PG-N 系列 MEL7112
  • PDF MEL7112PG-N.pdf
Консультация
MEL7126PG-N

MEL7126PG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельMEL7126PG-N
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание欠压защита 2.5V входное напряжение 2.7-5.5V выходной ток 260mA ток в режиме ожидания 140uA 热выключение защита 140℃高精度 5% 封装 SOT-89 LED驱动芯片 бренд MICRONE MEL7126PG-N 系列 MEL7126
  • PDF MEL7126PG-N.pdf
Консультация
ME8608BDSPG-N

ME8608BDSPG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельME8608BDSPG-N
  • КорпусSOP-8-EP
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 580V входное напряжение 5.0V выходной ток 5-60mA потребляемая мощность 1.98Wдиапазон рабочих температур -40 85 封装 SOP-8-EP LED驱动芯片 бренд MICRONE ME8608BDSPG-N 系列 ME8608
  • PDF ME8608BDSPG-N.pdf
Консультация
MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2301XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2.8A мощность (Pd) 700mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2301XG 系列 MEM2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
Консультация
MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA 电流 3A мощность (Pd) 700mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
Консультация
MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310XG 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
Консультация
MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2303M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA 电流 4.2A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 58mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2303M3G 系列 MEM2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
Консультация
MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310M3G 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
Консультация
MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA 电流 3A мощность (Pd) 700mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302M3G 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
Консультация
MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 4.1A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307XG 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
Консультация
MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 4.1A мощность (Pd) 1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A 封装 SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307M3G 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
Консультация
MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG-N
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA 电流 3A мощность (Pd) 700mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG-N 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
Консультация
MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2402K3G
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA 电流 15A мощность (Pd) 23W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 36mΩ@10V,12A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2402K3G 系列 MEM2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
Консультация
MEM4N60A3G

MEM4N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM4N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V 电流 4A мощность (Pd) 33W 沟道 N栅极пороговое напряжение 4.0V 封装 "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM4N60A3G 系列 MEM4N60
  • PDF MEM4N60A3G.pdf
Консультация
MEM12N65A3G

MEM12N65A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM12N65A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=0.64Ω@VGS=10V 电流 12A мощность (Pd) 51W 沟道 N栅极пороговое напряжение 4.0V 封装 "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM12N65A3G 系列 MEM12N65
  • PDF MEM12N65A3G.pdf
Консультация
MEM2313SG

MEM2313SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2313SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 6A мощность (Pd) 1W 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,6A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2313SG 系列 MEM2313
  • PDF MEM2313SG.pdf
Консультация
MEM2N60A3G

MEM2N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 600V 电压(Vgs(th)@Id) TO-220F 电流 2A мощность (Pd) 41W 沟道 N栅极пороговое напряжение VGS(th) 4.0V 封装 TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2N60A3G 系列 MEM2N60
  • PDF MEM2N60A3G.pdf
Консультация
MEM2306SG

MEM2306SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2306SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 5A мощность (Pd) 1.3W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@4.5V,6A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2306SG 系列 MEM2306
  • PDF MEM2306SG.pdf
Консультация
ME6211C33M5G-N

ME6211C33M5G-N-MICRONE

  • Типлинейный стабилизатор (LDO)
  • МодельME6211C33M5G-N
  • КорпусSOT-23-5
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниевходное напряжение ：1.2v-6v выходное напряжение ：3.3v 最大выходной ток ：500mA 精度：±1% 封装：SOT-23-5 линейный стабилизатор/LDO бренд ：MICRONE ME6211C33M5G-N
  • PDF ME6211C33M5G-N.pdf
Консультация
ME6211C18M5G-N

ME6211C18M5G-N-MICRONE

  • Типлинейный стабилизатор (LDO)
  • МодельME6211C18M5G-N
  • КорпусSOT-23-5
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниевыходное напряжение ：1.8v входное напряжение ：1.2v-6v 最大выходной ток ：500mA 精度：±1% 封装：SOT-23-5 линейный стабилизатор/LDO бренд ：MICRONE ME6211C18M5G-N
  • PDF ME6211C18M5G-N.pdf
Консультация
Всего записей: 475«Предыдущая1... 910111213141516...24Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd