О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > MICRONE(南京微盟)
MICRONE(南京微盟)

MICRONE(南京微盟)

Категория：
линейный стабилизатор (LDO)DC-DC преобразовательмикросхема супервизора и сбросаAC-DCконтроллеры и стабилизаторыуправление батареейLEDдрайверMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)источник опорного напряженияАЦП
Мультивыбор
Корпус：
SOT-23-3SOT-89SOT-23-5SOT-23SOT-23-6SOP-8SOP-8-EPTO-92DIP-7SOP-7SOT-223TO-252ESOP-8SOT-89-5TO-220FFBP-4(1x1)SON-4-EP(1x1)SOT-323-5DFN-20LDFN-4(1x1)DFN-6-EP(2x2)DFN-8-EP(2x2)DIP-8FBP-6L(2x2)SOP-6SOP-8-4.2mmTO-220
Ещё ⤵Мультивыбор
MEL7112PG-N

MEL7112PG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельMEL7112PG-N
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниепониженное напряжение защита 2.5V входное напряжение 2.7-5.5V выходной ток 120mA ток в режиме ожидания 140uA тепловое отключе ние защита 140℃высокая точность 5% корпус SOT-89 LED микросхема драйвера бренд MICRONE MEL7112PG-N серия MEL7112
  • PDF MEL7112PG-N.pdf
Консультация
MEL7126PG-N

MEL7126PG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельMEL7126PG-N
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниепониженное напряжение защита 2.5V входное напряжение 2.7-5.5V выходной ток 260mA ток в режиме ожидания 140uA тепловое отключе ние защита 140℃высокая точность 5% корпус SOT-89 LED микросхема драйвера бренд MICRONE MEL7126PG-N серия MEL7126
  • PDF MEL7126PG-N.pdf
Консультация
ME8608BDSPG-N

ME8608BDSPG-N-MICRONE

  • ТипLEDдрайвер
  • МодельME8608BDSPG-N
  • КорпусSOP-8-EP
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 580V входное напряжение 5.0V выходной ток 5-60mA потребляемая мощность 1.98W диапазон рабочих температур -40 85 корпус SOP-8-EP LED микросхема драйвера бренд MICRONE ME8608BDSPG-N серия ME8608
  • PDF ME8608BDSPG-N.pdf
Консультация
MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2301XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2301XG серия MEM2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
Консультация
MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG серия MEM2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
Консультация
MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310XG серия MEM2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
Консультация
MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2303M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 58mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2303M3G серия MEM2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
Консультация
MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2310M3G серия MEM2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
Консультация
MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302M3G серия MEM2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
Консультация
MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307XG серия MEM2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
Консультация
MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2307M3G серия MEM2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
Консультация
MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG-N
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2302XG-N серия MEM2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
Консультация
MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2402K3G
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 15A мощность (Pd) 23W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 36mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2402K3G серия MEM2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
Консультация
MEM4N60A3G

MEM4N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM4N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V ток 4A мощность (Pd) 33W канал N затвор пороговое напряжение 4.0V корпус "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM4N60A3G серия MEM4N60
  • PDF MEM4N60A3G.pdf
Консультация
MEM12N65A3G

MEM12N65A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM12N65A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=0.64Ω@VGS=10V ток 12A мощность (Pd) 51W канал N затвор пороговое напряжение 4.0V корпус "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM12N65A3G серия MEM12N65
  • PDF MEM12N65A3G.pdf
Консультация
MEM2313SG

MEM2313SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2313SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2313SG серия MEM2313
  • PDF MEM2313SG.pdf
Консультация
MEM2N60A3G

MEM2N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 600V напряжение (Vgs(th)@Id) TO-220F ток 2A мощность (Pd) 41W канал N затвор пороговое напряжение VGS(th) 4.0V корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2N60A3G серия MEM2N60
  • PDF MEM2N60A3G.pdf
Консультация
MEM2306SG

MEM2306SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2306SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@4.5V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONE MEM2306SG серия MEM2306
  • PDF MEM2306SG.pdf
Консультация
ME6211C33M5G-N

ME6211C33M5G-N-MICRONE

  • Типлинейный стабилизатор (LDO)
  • МодельME6211C33M5G-N
  • КорпусSOT-23-5
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниевходное напряжение : 1.2v-6v выходное напряжение : 3.3v максимальный выходной ток : 500mA точность : ±1% корпус : SOT-23-5 линейный стабилизатор/LDO бренд : MICRONE ME6211C33M5G-N
  • PDF ME6211C33M5G-N.pdf
Консультация
ME6211C18M5G-N

ME6211C18M5G-N-MICRONE

  • Типлинейный стабилизатор (LDO)
  • МодельME6211C18M5G-N
  • КорпусSOT-23-5
  • ПроизводительMICRONE
  • Описаниевыходное напряжение : 1.8v входное напряжение : 1.2v-6v максимальный выходной ток : 500mA точность : ±1% корпус : SOT-23-5 линейный стабилизатор/LDO бренд : MICRONE ME6211C18M5G-N
  • PDF ME6211C18M5G-N.pdf
Консультация
Всего записей: 475«Предыдущая1... 910111213141516...24Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd