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IS34ML01G084-TLI

IS34ML01G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48 NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G084-TLI
  • PDF IS34ML01G084-TLI.pdf
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IS21ES64G-JCLI

IS21ES64G-JCLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS21ES64G-JCLI
  • 封装规格VFBGA-153(11.5x13)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 512Gb 存储器组织 64G x 8 时钟频率 200 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS21ES64G-JCLI
  • PDF IS21ES64G-JCLI.pdf
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KLMCG4JETD-B041

KLMCG4JETD-B041-SAMSUNG(三星)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号KLMCG4JETD-B041
  • 封装规格BGA153
  • 品牌SAMSUNG(三星)
  • 描述存储容量 64 GB 存储器组织 8G x 8 时钟频率 - 电压 1.8 / 3.3 V 工作温度 -25 ~ 85 °C 封装 BGA153 NAND FLASH 品牌 SAMSUNG(三星半导体)型号 KLMCG4JETD-B041
  • PDF KLMCG4JETD-B041.pdf
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GD5F1GQ5UEYIGR

GD5F1GQ5UEYIGR-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD5F1GQ5UEYIGR
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 256M x 4 时钟频率 133 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新)型号 GD5F1GQ5UEYIGR
  • PDF GD5F1GQ5UEYIGR.pdf
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GD5F2GQ5UEYIGR

GD5F2GQ5UEYIGR-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD5F2GQ5UEYIGR
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 256M x 8 时钟频率 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新)型号 GD5F2GQ5UEYIGR
  • PDF GD5F2GQ5UEYIGR.pdf
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GD5F1GQ5REYIGR

GD5F1GQ5REYIGR-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD5F1GQ5REYIGR
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 256M x 4 时钟频率 104 MHz 电压 1.7V ~ 2V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新)型号 GD5F1GQ5REYIGR
  • PDF GD5F1GQ5REYIGR.pdf
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GD5F1GQ4UBYIGR

GD5F1GQ4UBYIGR-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD5F1GQ4UBYIGR
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 256M x 4 时钟频率 - 电压 2.7~3.6V  工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新)型号 GD5F1GQ4UBYIGR
  • PDF GD5F1GQ4UBYIGR.pdf
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GD9FU1G8F2AMGI

GD9FU1G8F2AMGI-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD9FU1G8F2AMGI
  • 封装规格TSOP-48-12.0mm
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7~3.6V  工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新) 型号 GD9FU1G8F2AMGI
  • PDF GD9FU1G8F2AMGI.pdf
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GD5F1GQ4RB9IGR

GD5F1GQ4RB9IGR-GigaDevice(兆易创新)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号GD5F1GQ4RB9IGR
  • 封装规格LGA-8(6x8)
  • 品牌GigaDevice(兆易创新)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 1.7V ~ 2.0V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 LGA-8(6x8) NAND FLASH 品牌  GigaDevice(兆易创新) 型号 GD5F1GQ4RB9IGR
  • PDF GD5F1GQ4RB9IGR.pdf
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TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0-KIOXIA(铠侠)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号TC58NVG1S3HTAI0
  • 封装规格TSOP-48
  • 品牌KIOXIA(铠侠)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 256M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48 NAND FLASH 品牌 KIOXIA(铠侠)型号 TC58NVG1S3HTAI0
  • PDF TC58NVG1S3HTAI0.pdf
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