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W29N04GVSIAA

W29N04GVSIAA-WINBOND(华邦)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号W29N04GVSIAA
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌WINBOND(华邦)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 WINBOND(华邦) 型号 W29N04GVSIAA
  • PDF W29N04GVSIAA.pdf
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W25N01GWZEIG

W25N01GWZEIG-WINBOND(华邦)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号W25N01GWZEIG
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌WINBOND(华邦)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 104 MHz 电压 1.7V ~ 1.95V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌 WINBOND(华邦) 型号 W25N01GWZEIG
  • PDF W25N01GWZEIG.pdf
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IS34ML02G084-TLI

IS34ML02G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML02G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48-12.0mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 2Gb 存储器组织 256M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌  ISSI(美国芯成)型号 IS34ML02G084-TLI
  • PDF IS34ML02G084-TLI.pdf
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IS37SML01G1-LLI

IS37SML01G1-LLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS37SML01G1-LLI
  • 封装规格WSON-8-EP(6x8)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS37SML01G1-LLI
  • PDF IS37SML01G1-LLI.pdf
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IS34ML01G084-TLI-TR

IS34ML01G084-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G084-TLI-TR
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G084-TLI-TR
  • PDF IS34ML01G084-TLI-TR.pdf
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IS34ML04G084-TLI

IS34ML04G084-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML04G084-TLI
  • 封装规格TSOP-48-12.0mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML04G084-TLI
  • PDF IS34ML04G084-TLI.pdf
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IS34ML01G081-TLI

IS34ML01G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G081-TLI
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G081-TLI
  • PDF IS34ML01G081-TLI.pdf
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IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML01G081-TLI-TR
  • 封装规格TSOP-48-18.4mm
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 1Gb 存储器组织 128M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML01G081-TLI-TR
  • PDF IS34ML01G081-TLI-TR.pdf
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IS34ML04G081-TLI

IS34ML04G081-TLI-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS34ML04G081-TLI
  • 封装规格TSOP-48
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 4Gb 存储器组织 512M x 8 时钟频率 - 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 TSOP-48 NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS34ML04G081-TLI
  • PDF IS34ML04G081-TLI.pdf
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IS21ES08G-JCLI-TR

IS21ES08G-JCLI-TR-ISSI(美国芯成)

  • 产品类型NAND FLASH
  • 型号IS21ES08G-JCLI-TR
  • 封装规格VFBGA-153(11.5x13)
  • 品牌ISSI(美国芯成)
  • 描述存储容量 64Gb 存储器组织 8G x 8 时钟频率 200 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 封装 VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH 品牌 ISSI(美国芯成)型号 IS21ES08G-JCLI-TR
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