关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
LX2302BS

LX2302BS-CHIPLINK(芯联)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号LX2302BS
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌CHIPLINK(芯联)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 - 电流 2.3A 功率(Pd)  0.7W 沟道 N导通电阻 <60mΩ@VDS=4.5 <90mΩ@VDS=2.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 CHIPLINK(芯联) 型号 LX2302BS
  • PDF LX2302BS.pdf
在线咨询
LX2300S

LX2300S-CHIPLINK(芯联)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号LX2300S
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌CHIPLINK(芯联)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 - 电流 6A 功率(Pd)  1.25W 沟道 N导通电阻 <28mΩ@VDS=4.5V <33mΩ@VDS=2.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 CHIPLINK(芯联) 型号 LX2300S
  • PDF LX2300S.pdf
在线咨询
LX3400L

LX3400L-CHIPLINK(芯联)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号LX3400L
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌CHIPLINK(芯联)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 900mV@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  1.3W 沟道 N导通电阻 24mΩ@10V,5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 CHIPLINK(芯联) 型号 LX3400L
  • PDF LX3400L.pdf
在线咨询
LX3400S

LX3400S-CHIPLINK(芯联)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号LX3400S
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌CHIPLINK(芯联)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 900mV@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  1.3W 沟道 N导通电阻 33mΩ@10V,5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 CHIPLINK(芯联) 型号 LX3400S
  • PDF LX3400S.pdf
在线咨询
NCE6020AK

NCE6020AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6020AK
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  45W 沟道 N 导通电阻 35mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6020AK
  • PDF NCE6020AK.pdf
在线咨询
NCE6050KA

NCE6050KA-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6050KA
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  85W 沟道 N 导通电阻 20mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6050KA
  • PDF NCE6050KA.pdf
在线咨询
NCE60P50K

NCE60P50K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P50K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  95W 沟道 P 导通电阻 23mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P50K
  • PDF NCE60P50K.pdf
在线咨询
NCE6080K

NCE6080K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6080K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  110W 沟道 N 导通电阻 8.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6080K
  • PDF NCE6080K.pdf
在线咨询
NCE60P04Y

NCE60P04Y-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P04Y
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  1.5W 沟道 P导通电阻 120mΩ@10V,4A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P04Y
  • PDF NCE60P04Y.pdf
在线咨询
NCE6005AS

NCE6005AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6005AS
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  2W 沟道 2个N导通电阻 35mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6005AS
  • PDF NCE6005AS.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 5354555657585960...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号