DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 730mw de corriente 10a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 10v, 11a encapsulada udfn2020 - 6 - EP Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lfde - 7 serie dmn3016lfde
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) Canal de 840mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 60mwh @ 10v, 3.1a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3135lvt - 7 serie dmn3135lvt
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 480mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 300ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2310u - 7 serie dmn2310u
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.3a Potencia (pd) 1.4w @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3018 SSS - 13 serie dmn3018 sss
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 10v, 12.6a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84q - 7 - F serie bss84q
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.5a (pd) de 11 MWH @ 10v, encapsulada en 20a con tubo de efecto de campo powerdi333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg7430lfg - 7 serie dmg7430lfg