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S34ML08G201TFI000

S34ML08G201TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML08G201TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml08g201tfi000
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S34ML04G200TFI000

S34ML04G200TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML04G200TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml04g200tfi000
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S34ML02G200BHI000

S34ML02G200BHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML02G200BHI000
  • PaqueteBGA-63
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml02g200bhi000
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S34ML04G200BHI000

S34ML04G200BHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML04G200BHI000
  • PaqueteBGA-63
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml04g200bhi000
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S34ML01G200TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML01G200TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml01g200tfi000
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  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML02G100TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml02g100 tfi000
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  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML02G200TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml02g200tfi000
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S34ML02G100BHI003

S34ML02G100BHI003-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML02G100BHI003
  • PaqueteBGA-63
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml02g100bhi003
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S34ML01G200BHI000

S34ML01G200BHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML01G200BHI000
  • PaqueteBGA-63
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB la memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml01g200bhi000
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S34ML08G201TFI000

S34ML08G201TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML08G201TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml08g201tfi000
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