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SBR40U200CTB-13

SBR40U200CTB-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR40U200CTB-13
  • PaqueteTO-263AB
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 930mV@20A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 200v corriente rectificadora media (io) 40a corriente inversa (ir) 200uA@200V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 175 ° C encapsulado to - 263ab superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr40u200ctb - 13
  • PDF SBR40U200CTB-13.pdf
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SBR2U60S1FQ-7

SBR2U60S1FQ-7-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR2U60S1FQ-7
  • PaqueteSOD-123F
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 510mV@2A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 60v corriente rectificadora media (io) 2a corriente inversa (ir) 150uA@60V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 175 ° C encapsulado SOD - 123f superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr2u60s1fq - 7
  • PDF SBR2U60S1FQ-7.pdf
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SBRT20U50SLPQ-13

SBRT20U50SLPQ-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT20U50SLPQ-13
  • PaquetePower-DI-5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 500mV@20A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 50V corriente rectificadora media (io) 20a corriente inversa (ir) 500uA@50V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 175 ° C encapsulado Power - di - 5060 - 8 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt20u50slpq - 13
  • PDF SBRT20U50SLPQ-13.pdf
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SBRT5A50SAF-13

SBRT5A50SAF-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT5A50SAF-13
  • PaqueteDO-214AD
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 530mV@5A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 50V corriente rectificadora media (io) 5a corriente inversa (ir) 150uA@50V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulado do do - 214ad superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt5a50saf - 13
  • PDF SBRT5A50SAF-13.pdf
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SBR12U100P5Q-13

SBR12U100P5Q-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR12U100P5Q-13
  • PaquetePower-DI-5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 780mV@12A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 100v corriente rectificadora media (io) 12a corriente inversa (ir) 250uA@100V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 5 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr12u100p5q - 13
  • PDF SBR12U100P5Q-13.pdf
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SBRT10U60D1-13

SBRT10U60D1-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT10U60D1-13
  • PaqueteTO-252-2
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 520mV@10A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 60v corriente rectificadora media (io) 10a corriente inversa (ir) 400uA@60V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulado to - 252 - 2 superbarrera rectificadora (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt10u60d1 - 13
  • PDF SBRT10U60D1-13.pdf
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SBR10M100P5Q-13

SBR10M100P5Q-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR10M100P5Q-13
  • PaquetePowerDI5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de tensión positiva (vf) 880 MV @ 10 a resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 100 V corriente rectificadora media (io) 10a corriente inversa (ir) 2 micras a @ 100 V temperatura de trabajo - 55 ° C a 175 ° C encapsulada Power di5 super Barrier rectifer (sbr) marca diodes (midea) modelo sbr10m100p5q - 13
  • PDF SBR10M100P5Q-13.pdf
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SBR1045D1-13

SBR1045D1-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR1045D1-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 580mV@10A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 45v corriente rectificadora media (io) 10a corriente inversa (ir) 500uA@45V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado to - 252 superbarrera rectificadora (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr1045d1 - 13
  • PDF SBR1045D1-13.pdf
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SBR8U60P5Q-13

SBR8U60P5Q-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR8U60P5Q-13
  • PaquetePower-DI-5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de tensión positiva (vf) 530 MV @ 8 a DC resistencia a la presión inversa (vr) 60 V corriente rectificadora media (io) 8a corriente inversa (ir) 330 micras a @ 60 V temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulada Power - di - 5 superbarrera rectificadora (sbr) marca diodes (midea) modelo sbr8u60p5q - 13
  • PDF SBR8U60P5Q-13.pdf
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SBR10200CTL-13

SBR10200CTL-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR10200CTL-13
  • PaqueteTO-252-2
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 940mV@5A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 200v corriente rectificadora media (io) 5a corriente inversa (ir) 100uA@200V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado to - 252 - 2 superbarrera rectificadora (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr10200 CTL - 13
  • PDF SBR10200CTL-13.pdf
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