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SBR10E45P5-13

SBR10E45P5-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR10E45P5-13
  • PaquetePower-DI-5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 420mV@10A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 45v corriente rectificadora media (io) 10a corriente inversa (ir) 50uA@45V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 5 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr10e45p5 - 13
  • PDF SBR10E45P5-13.pdf
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SBR1A40S1-7

SBR1A40S1-7-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR1A40S1-7
  • PaqueteSOD-123
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 520mV@1A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 40v corriente rectificadora media (io) 1a corriente inversa (ir) 200uA@40V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado SOD - 123 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr1a40s1 - 7
  • PDF SBR1A40S1-7.pdf
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SBR30A100CTB-13

SBR30A100CTB-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR30A100CTB-13
  • PaqueteTO-263-2
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 780mV@15A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 100v corriente rectificadora media (io) 15a corriente inversa (ir) 100uA@100V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado to - 263 - 2 superbarrera rectificadora (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr30a100ctb - 13
  • PDF SBR30A100CTB-13.pdf
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SBR3U60P1Q-7

SBR3U60P1Q-7-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR3U60P1Q-7
  • PaquetePower-DI-123
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 620mV@3A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 60v corriente rectificadora media (io) 3a corriente inversa (ir) 100uA@60V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 123 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr3u60p1q - 7
  • PDF SBR3U60P1Q-7.pdf
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SBR10U200P5-13

SBR10U200P5-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR10U200P5-13
  • PaquetePowerDI-5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 830mV@10A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 200v corriente rectificadora media (io) 10a corriente inversa (ir) 100uA@200V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 175 ° C encapsulado powerdi - 5 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr10u200p5 - 13
  • PDF SBR10U200P5-13.pdf
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SBRT25U60SLP-13

SBRT25U60SLP-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT25U60SLP-13
  • PaquetePower-DI-5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 550mV@25A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 60v corriente rectificadora media (io) 25a corriente inversa (ir) 400uA@60V Temperatura de trabajo - 55 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 5060 - 8 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt25u60slp - 13
  • PDF SBRT25U60SLP-13.pdf
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SBRT3U40P1-7

SBRT3U40P1-7-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT3U40P1-7
  • PaquetePower-DI-123
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 420mV@3A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 40v corriente rectificadora media (io) 3a corriente inversa (ir) 30uA@40V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 123 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt3u40p1 - 7
  • PDF SBRT3U40P1-7.pdf
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SBRT15U100SP5-13

SBRT15U100SP5-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBRT15U100SP5-13
  • PaquetePower-DI-5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 640mV@15A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 100v corriente rectificadora media (io) 15a corriente inversa (ir) 40uA@100V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado Power - di - 5 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbrt15u100sp5 - 13
  • PDF SBRT15U100SP5-13.pdf
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SBR12U100P5-13

SBR12U100P5-13-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR12U100P5-13
  • PaquetePowerDI5
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 490mV@5A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 100v corriente rectificadora media (io) 12a corriente inversa (ir) 250uA@100V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado Power di5 super Barrier rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr12u100p5 - 13
  • PDF SBR12U100P5-13.pdf
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SBR130S3-7

SBR130S3-7-DIODES(美台)

  • TipoDiodos
  • ModeloSBR130S3-7
  • PaqueteSOD-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónCaída de presión positiva (vf) 460mV@1A Resistencia a la presión inversa de corriente continua (vr) 30v corriente rectificadora media (io) 1a corriente inversa (ir) 50uA@30V Temperatura de trabajo - 65 ° C a 150 ° C encapsulado SOD - 323 superbarrera rectifer (sbr) marca diodes (meitai) modelo sbr130s3 - 7
  • PDF SBR130S3-7.pdf
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