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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD17NF03LT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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STH3N150-2

STH3N150-2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTH3N150-2
  • PaqueteH2PAK-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STH3N150-2封装H2PAK-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STH3N150-2.pdf
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STN4NF03L

STN4NF03L-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTN4NF03L
  • PaqueteSOT-223-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF03L封装SOT-223-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)6.5A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)330pF@25V工作温度-55…
  • PDF STN4NF03L.pdf
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STD13N60M2

STD13N60M2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD13N60M2
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13N60M2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温度-5…
  • PDF STD13N60M2.pdf
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STW70N60DM2

STW70N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW70N60DM2
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW70N60DM2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)66A功率(Pd)446W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,33A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)121nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.508nF@100V工作…
  • PDF STW70N60DM2.pdf
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STD10P6F6

STD10P6F6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD10P6F6
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10P6F6封装DPAK类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)340pF@48V
  • PDF STD10P6F6.pdf
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STF26NM60N

STF26NM60N-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF26NM60N
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF26NM60N封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STF26NM60N.pdf
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IRF630

IRF630-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloIRF630
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号IRF630封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)75W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V输入电容(Ciss@Vds)700pF@25V工作温度-65℃~+…
  • PDF IRF630.pdf
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STW9NK90Z

STW9NK90Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW9NK90Z
  • PaqueteTO-247AC-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW9NK90Z封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STW9NK90Z.pdf
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STF6N95K5

STF6N95K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF6N95K5
  • PaqueteTO-220FPAB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF6N95K5封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V工作温度…
  • PDF STF6N95K5.pdf
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