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micron(镁光)

micron(镁光)

MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G08ABAEAWP:E
  • PaqueteTSOP-48-12.2mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo 0 ° C a 70 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,2 mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g08abaewp: e
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP:E.pdf
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F4G01ABAFDWB-IT:F
  • PaqueteUDFN-8
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza frecuencia de reloj 4G x 1 - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento udfn - 8 Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f4g01abafdbm - it: F
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MT29F4G08ABAEAWP:E

MT29F4G08ABAEAWP:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F4G08ABAEAWP:E
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo 0 ° C a 70 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f4g08abaewp: e
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MT29F8G08ABACAWP-IT:C

MT29F8G08ABACAWP-IT:C-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F8G08ABACAWP-IT:C
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f8g08abacap - it: C
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G08ABAEAWP-IT:E
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g08abaewp - it: e
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP-IT:E.pdf
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MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F1G01ABAFDWB-IT:F
  • PaqueteUPDFN-8
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 1G x 1 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento updfn - 8 Nand flash marca micron (magnesio) modelo mt29f1g01abafdbm - it: F
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MT29F1G08ABAEAWP:E

MT29F1G08ABAEAWP:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F1G08ABAEAWP:E
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo 0 ° C a 70 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f1g08abaewp: e
  • PDF MT29F1G08ABAEAWP:E.pdf
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G08ABAEAH4-IT:E
  • PaqueteVFBGA-63
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g08abaeah4 - it: e
  • PDF MT29F2G08ABAEAH4-IT:E.pdf
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • PaqueteU-PDFN-8(6x8)
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 2G x 1 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento u - pdfn - 8 (6x8) Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g01abagdbm - it: G
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MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F8G08ABBCAH4-IT:C
  • PaqueteVFBGA-63
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 Nand flash marca micron (magnesio) modelo mt29f8g08abcah4 - it: C
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G08ABAGAWP-IT:G
  • PaqueteTSOP-48
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g08abagwp - it: G
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F1G08ABAEAWP-IT:E
  • PaqueteTSOP-48-12.0mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,0mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f10abaewp - it: e
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MT29F4G08ABADAWP:D

MT29F4G08ABADAWP:D-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F4G08ABADAWP:D
  • PaqueteTSOP-48-12.2mm
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo 0 ° C a 70 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 12,2 mm Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f4g08abadaw: D
  • PDF MT29F4G08ABADAWP:D.pdf
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MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
  • PaqueteTSOP-48
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónLa memoria de 64GB de capacidad de almacenamiento organiza 8g x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 Nand flash marca micron (magnesio) modelo mt29f64g08aaawp - itz: a
  • PDF MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A.pdf
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MT29F2G08ABBGAH4-IT:G

MT29F2G08ABBGAH4-IT:G-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G08ABBGAH4-IT:G
  • PaqueteVFBGA-63
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 256m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 63 Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g08abgah4 - it: G
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MTFC8GAMALBH-AIT

MTFC8GAMALBH-AIT-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMTFC8GAMALBH-AIT
  • PaqueteBGA153
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 64GB memoria organiza 8g x 8 frecuencia de reloj - voltaje - temperatura de trabajo 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga153 Nand flash marca micron (magnesio) modelo mtfc8gamalbh - AIT
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
  • PaqueteTSOP-48
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 128GB memoria organiza 16g x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 Nand flash marca micron (magnesio) modelo mt29f128g08ajaaaawp - itz: a
  • PDF MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A.pdf
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-micron(镁光)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloMT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • PaqueteUDFN-8
  • Fabricantemicron(镁光)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB memoria organiza 2G x 1 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento udfn - 8 Nand flash marca micron (magnesium) modelo mt29f2g01abagdbm - it: G
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