报道称：存储大厂铠侠将在第10代NAND产品引入低温蚀刻技术

2024/6/17 0:44:40

据日本媒体报道,存储大厂铠侠将计划于在其2026年量产第10代NAND产品中引入低温蚀刻技术,从而使存储器的存储单元间的存储通孔(memory hole)以更快的速度形成.以加快生产效率.

2023年6月,Tokyo Electron成功开发开发了一种能够在-70°C的温度下运行的低温蚀刻工具.该工具可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片.

与传统电浆蚀刻法相比,低温蚀刻技术可将加工速度提高约4倍,从而缩短生产时间,提高产量.

低温蚀刻技术的应用预计将推动存储技术的重大革新,有助于开发更高层次的3D NAND闪存芯片.

其他存储厂商,如三星电子,也在评估低温蚀刻设备的性能,可能会促进该技术在未来半导体制造中的广泛应用.

随着AI的发展和高容量存储需求的增长,新型存储技术如3D DRAM和SCM正受到越来越多的关注,预示着存储行业的未来发展趋势.

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