来源：全球半导体观察整理

据中国台湾中时新闻网报道,南亚科在29日的年度股东常会上表示,其首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5颗粒将于明年初进入试产阶段.

目前,南亚科10nm第二代1B制程技术,除了3颗产品正在试产中,涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存.南亚科表示其首批DDR5内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量.另外在设计开发中有4颗产品,包括16Gb DDR5的微缩版16Gb LPDDR416Gb LPDDR5以及4Gb DDR3,也将逐步进入试产.同时,今年南亚科将同步开发TSV技术,未来将结合DDR5内存颗粒和该技术,制造高容量的(3DS)DRAM内存模组,满足服务器市场的需求.

此外,南亚科技表示,在每个制程世代都达到30%的位元提升速度,目前正同比利时imec微电子研究中心合作,为采用EUV光刻机的先进DRAM制程做准备.

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