19865874889
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TPS51604DSGR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号TPS51604DSGR
- 封装规格WSON-8-EP(2x2)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号TPS51604DSGR封装WSON-8-EP(2x2)驱动配置半桥通道类型同步驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电4.5V ~ 5.5V逻辑电压 - VIL，VIH0.6V，2.65V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）-输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举）34 V上升…
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TPS51604DSGR.pdf
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UCC27611DRVT-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27611DRVT
- 封装规格WSON-6-EP(2x2)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27611DRVT封装WSON-6-EP(2x2)驱动配置低端通道类型单路驱动器数1栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电4V ~ 18V逻辑电压 - VIL，VIH1.3V，1.85V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，6A输入类型反相，非反相上升/下降时间（典型值）5ns…
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UCC27611DRVT.pdf
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UCC27424DGNR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27424DGNR
- 封装规格HVSSOP-8-EP-0.65mm
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27424DGNR封装HVSSOP-8-EP-0.65mm驱动配置低端通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道，P 沟道 MOSFET电压 - 供电4V ~ 15V逻辑电压 - VIL，VIH1V，2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A输入类型非反相上升/下降时间（典型值）…
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UCC27424DGNR.pdf
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UCC27324DGNR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27324DGNR
- 封装规格HVSSOP-8-EP-0.65mm
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27324DGNR封装HVSSOP-8-EP-0.65mm驱动配置低端通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道，P 沟道 MOSFET电压 - 供电4.5V ~ 15V逻辑电压 - VIL，VIH1V，2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A输入类型非反相上升/下降时间（典型值…
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UCC27324DGNR.pdf
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UCC27282DRCR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27282DRCR
- 封装规格VSON-10-EP(3x3)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27282DRCR封装VSON-10-EP(3x3)驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电5.5V ~ 16V逻辑电压 - VIL，VIH0.9V，2.4V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）2.5A，3.5A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举…
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UCC27282DRCR.pdf
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UCC27211DR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27211DR
- 封装规格SOIC-8
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27211DR封装SOIC-8驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电8V ~ 17V逻辑电压 - VIL，VIH1.3V，2.7V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举）120 V上升/下降…
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UCC27714DR-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27714DR
- 封装规格SOIC-14
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27714DR封装SOIC-14驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电10V ~ 18V逻辑电压 - VIL，VIH1.2V，2.7V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举）600 V上…
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UCC27712QDRQ1-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27712QDRQ1
- 封装规格SOIC-8
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27712QDRQ1封装SOIC-8驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET电压 - 供电10V ~ 20V逻辑电压 - VIL，VIH1.5V，1.6V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）1.8A，2.8A输入类型-高压侧电压 - 最大值（自举…
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UCC27712QDRQ1.pdf
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LM5107SD/NOPB-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号LM5107SD/NOPB
- 封装规格WSON-8-EP(4x4)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号LM5107SD/NOPB封装WSON-8-EP(4x4)驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电8V ~ 14V逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）1.3A，1.4A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举）…
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LM5107SD/NOPB.pdf
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UCC27201AD-TI(德州仪器)
- 产品类型栅极驱动IC
- 型号UCC27201AD
- 封装规格SOIC-8
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类栅极驱动芯片型号UCC27201AD封装SOIC-8驱动配置半桥通道类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压 - 供电8V ~ 17V逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，2.5V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）3A，3A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值（自举）120 V上升/下降…
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UCC27201AD.pdf
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