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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE80H12

NCE80H12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE80H12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 80V 阈值电压 4V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 6mΩ@10V,40A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE80H12
  • PDF NCE80H12.pdf
NCE3416

NCE3416-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3416
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd)  1.4W 沟道 N 导通电阻 27mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3416
  • PDF NCE3416.pdf
NCE3007S

NCE3007S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3007S
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd)  3.1W 沟道 P导通电阻 42mΩ@10V,6.5A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3007S
  • PDF NCE3007S.pdf
NCE55P30K

NCE55P30K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P30K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 55V 阈值电压 4V@250uA 电流 30A 功率(Pd)  65W 沟道 P导通电阻 40mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P30K
  • PDF NCE55P30K.pdf
NCE3095K

NCE3095K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3095K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 95A 功率(Pd)  95W 沟道 N导通电阻 4.1mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3095K
  • PDF NCE3095K.pdf
NCEP035N85GU

NCEP035N85GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP035N85GU
  • 封装规格DFN-8(5.8x4.9)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 135A 功率(Pd)  160W 沟道 N 导通电阻 2.9mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(5.8x4.9) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP035N85GU
  • PDF NCEP035N85GU.pdf
NCE3400AY

NCE3400AY-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3400AY
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd)  1.4W 沟道 N导通电阻 27mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3400AY
  • PDF NCE3400AY.pdf
NCE65TF180D

NCE65TF180D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF180D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 21A 功率(Pd)  188W 沟道 N导通电阻 160mΩ@10V,10.5A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF180D
  • PDF NCE65TF180D.pdf
NCE40P20Q

NCE40P20Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40P20Q
  • 封装规格DFN-8L(3.3x3.3)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -40V 阈值电压 - 电流 20A 功率(Pd)  30W 沟道 P 导通电阻 18mΩ @ VGS=-10V 封装 DFN-8L(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P20Q
  • PDF NCE40P20Q.pdf
NCE65T360K

NCE65T360K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T360K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd)  101W 沟道 N 导通电阻 360mΩ@10V,7A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T360K
  • PDF NCE65T360K.pdf
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