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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
STP80N240K6

STP80N240K6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP80N240K6
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80N240K6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)25.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@100V工作温…
  • PDF STP80N240K6.pdf
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STD3NK100Z

STD3NK100Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD3NK100Z
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK100Z封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,1.25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)601pF@25V工作…
  • PDF STD3NK100Z.pdf
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STP14NM50N

STP14NM50N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP14NM50N
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP14NM50N封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)320mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)816pF@50V工作温度…
  • PDF STP14NM50N.pdf
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STP3NK80Z

STP3NK80Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP3NK80Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP3NK80Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@1.25A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
  • PDF STP3NK80Z.pdf
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STP20NK50Z

STP20NK50Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP20NK50Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NK50Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
  • PDF STP20NK50Z.pdf
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STP55NF06L

STP55NF06L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP55NF06L
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)55A功率(Pd)95W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.7nF@25V工作温度…
  • PDF STP55NF06L.pdf
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STP20N90K5

STP20N90K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP20N90K5
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N90K5封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V工作温度…
  • PDF STP20N90K5.pdf
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STP15N80K5

STP15N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP15N80K5
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
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STP80NF06

STP80NF06-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP80NF06
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF06封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
  • PDF STP80NF06.pdf
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STB13N60M2

STB13N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB13N60M2
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB13N60M2封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温…
  • PDF STB13N60M2.pdf
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