MX25L12835FM2I-10G是一款3V，128m位[x 1/x 2/x 4]CMOSMXSMIO®（串行多I/O）闪存芯片

MX25L12835FM2I-10G是一款3V,128m位[x 1/x 2/x 4]CMOSMXSMIO®(串行多I/O)闪存芯片

MX25L12835F是128Mb位串行闪存,内部配置为16777216 x 8.当它处于两个或四个I/O模式时,结构变为67108864位x2或33554432位x4.MX25L12835F具有串行外围接口和软件协议,允许在单I/O模式下在简单的3线总线上运行.三个总线信号是时钟输入(SCLK)串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO).通过CS#输入启用对设备的串行访问.
当它处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SO1引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出.当它处于四个I/O读取模式时,SI引脚SO引脚WP#和RESET#引脚变为SIO0引脚SIO1引脚SIO2引脚和SIO3引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出.
MX25L12835F MXSMIO*(串行多I/O)在整个芯片上提供顺序读取操作.
发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页面或扇区/块位置进行编程/擦除和验证.程序命令以字节页(256字节)或字为基础执行,擦除命令以扇区(4K字节)块(32K字节)或块(64K字节)或整个芯片为基础执行.
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态.可以发出状态读取命令,通过WlP位检测编程或擦除操作的完成状态.
高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分了解更多详细信息.
当设备未运行且CS#为高时,它将进入待机模式.
MX25L12835F采用Macronix专有的存储单元,即使在100000次编程和擦除周期后,也能可靠地存储存储内容.