K4A4G165WE-BCRC是一款4Gb E-die DDR4 SDRAM存储器芯片

K4A4G165WE-BCRC是一款4Gb E-die DDR4 SDRAM存储器芯片

4Gb DDR4 SDRAM电子管芯由32Mbit x 16个I/O x 8个存储体组成
设备.该同步设备实现了高速双倍数据速率
一般应用的传输速率高达2400Mb/sec/pin(DDR4-2400).
该芯片被设计为符合以下关键的DDR4 SDRAM功能,如公布的CAS可编程CWL内部(自)校准,
使用ODT引脚和异步复位的管芯端接.
所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步.输入被锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降).所有I/O都与
以源同步方式的一对双向选通脉冲(DQS和DQS).地址总线用于传输行列和存储体地址
RAS/neneneba CAS多路复用方式的信息.DDR4设备运行
配备单路1.2V(1.14V~1.26V)电源,1.2V(1.18V~1.26V)VDDQ
2.5V(2.375V~2.75V)VPP.
4Gb DDR4电子管芯器件有96球FPGA(x16)可供选择

JEDEC标准1.2V(1.14V~1.26V)
VDDQ=1.2V(1.14V-~1.26V)
Vpp=2.5V(2.375V~2.75V)
1600Mb/sec/pin为800 MHz fck,1866Mb/sec/pin为933 MHz fck;2133Mb/sec/ppin为1067MHz fck;2400Mb/sec/pin为1200 MHz fck
.8家银行(2家银行集团)
可编程CAS延迟(发布于CAS)：10.11,12.13.14.15.16.17.18
·可编程CAS写入延迟(CWL)=9,11(DDR4-1600)10,12(DDR4-1866)11,14(DDR4-2133)和12,16(DDR4-2400)
.8位预取
突发长度：8,4,tCCD=4,不允许无缝读写[使用A12或MRS实时]
双向差分数据闪光灯
内部(自)校准：通过ZQ引脚进行内部自校准(RZQ:240欧姆±1%)
使用ODT引脚进行管芯端接
低于TCASE 85°C时的平均刷新期为7.8us,低于TCASE 95°C时为3.9us
.异步重置
包装：96球FBGA-x16
所有无铅产品均符合RoHS标准
所有产品均不含卤素
CRC(循环冗余校验)用于读/写数据安全
.命令地址奇偶校验
DBI(数据总线反转)
.降档模式
.POD(伪开放式排水)接口,用于数据输入/输出
数据输入的内部VREF
DRAM激活电源的外部VPP
.PPR受支持