IS61WV51216EEBLL-10TLI是一款高速、低功耗、8M位静态RAM，由512K字乘16位组成芯片

IS61WV51216EEBLL-10TLI是一款高速低功耗8M位静态RAM,由512K字乘16位组成芯片

说明
/SS/IS61/64WV51216EEALL/BLL是高速低功耗8M位静态RAM,由512K字乘16位组成.它采用/SS/的高性能CMOS技术制造,并实现了ECC功能以提高可靠性.
这种高度可靠的工艺与包括ECC(SEC-DED：单错误纠正双错误检测)在内的创新电路设计技术相结合,可产生高性能和高可靠性的器件.
当CS#为高(取消选择)时,设备将采用待机模式,在该模式下,功耗可以随着CMOS输入电平的降低而降低.
通过使用芯片启用和输出启用输入,可以轻松扩展内存.激活的低写入启用(WE#)控制存储器的写入和读取.
数据字节允许上字节(UB#)和下字节(LB#)访问.
这些器件采用JEDEC标准44针TSOP(II型)48针迷你BGA(6mm x 8mm)48引脚TSOP(I型)和54引脚TSOP

主要特点
高速接入时间：8ns10ns20ns单电源
-1.65V-2.2V VDD(全部为61wv51216)
-2.4V-3.6V VDD(是61/64WV51216EEBLL)
使用可选ERR1/ERR2输出引脚进行错误检测和纠正：
-ERR1引脚表示1位错误检测和纠正.
-ERR2引脚表示2位错误检测
.可用包装：
-44针TSOP(II型)
-48针TSOP(I型)
-48球迷你BGA(6mm x 8mm)
-54针TSOP(II型)
三种状态输出
工业和汽车温度支持
无铅可用