IR2101STRPBF是一款是高压、高速 独立的功率MOSFET和IGBT驱动器

IR2101STRPBF是一款是高压高速 独立的功率MOSFET和IGBT驱动器

IR2101(S)/IR2102(S)是高压高速
独立的功率MOSFET和IGBT驱动器
高侧和低侧参考输出通道.专有HVIC和锁存免疫CMOS技术
实现坚固的整体结构.逻辑
输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出,低至3.3V逻辑.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小
驱动器交叉传导.浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT
高侧配置,工作电压高达600伏.

特征
浮动通道专为自举操作而设计,可完全运行至+600V,耐受负瞬态电压dV/dt免疫
栅极驱动电源范围为10至20V
欠压锁定
兼容3.3V5V和15V逻辑输入
两个信道的传播延迟匹配
输出与输入同相(IR2101)或与输入异相(IR2102)
还提供无铅