FQD17P06TM是一款-60 V, -12 A, 135 mΩ P沟道MOSFET管

FQD17P06TM是一款-60 V, -12 A, 135 mΩ P沟道MOSFET管

描述
这种P沟道增强型功率MOSFET是使用飞兆半导体专有的平面成熟和DMOS技术生产的.这种先进的MOSFET技术经过特别定制,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度.这些设备适用于开关电源音频放大器直流电机控制和可变开关电源应用.

特征
·-12 A,-60 V,RDS(开启)=135 mΩ(最大)@VGs=-10 V,ID=-6 A
低栅极电荷(典型值21nC)
低铬(典型值80 pF)
100%雪崩测试