FDMC8878是一款30V，16.5A，14mR N沟道功率沟道半导体场效应晶体管

FDMC8878是一款30V,16.5A,14mR N沟道功率沟道半导体场效应晶体管

一般说明
这款N沟道MOSFET是飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)先进功率沟槽工艺的加固栅极版本.它已针对电源管理应用进行了优化.
应用
直流-直流转换

特征
在VGS=10V,Ip=9.6A时,最大rDS(on)为14mQ
在VGS=4.5V,Ip=8.7A时,最大rDS(on)为17mΩ
低矮设计 - 在3.3X3.3的MLP中最大高度为0.8毫米
符合RoHS标准