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TI(德州仪器)
德州仪器 (TI) 设计和制造模拟\数字信号处理和 DLP 芯片技术,帮助客户开发相关产品.从连接更多人的经济实惠的手机到支持远程学习的教室投影仪到可信度\灵活度和自由度更高的修复器械 - TI 技术均采用了新的理念,产生了更好的解决方案.
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PCM1781DBQR-TI(德州仪器)
- 产品类型ADC/DAC-专用型
- 型号PCM1781DBQR
- 封装规格SSOP-16-150mil
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类ADC/DAC-专用型型号PCM1781DBQR封装SSOP-16-150mil类型DAC，音频通道数2分辨率（位）24 b采样率（每秒）200k数据接口I2S供电电压源单电源电压 - 供电5V工作温度-25°C ~ 85°C
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PCM1781DBQR.pdf
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ADS58C48IPFPR-TI(德州仪器)
- 产品类型ADC/DAC-专用型
- 型号ADS58C48IPFPR
- 封装规格HTQFP-80(12x12)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商TI(德州仪器)产品分类ADC/DAC-专用型型号ADS58C48IPFPR封装HTQFP-80(12x12)类型ADC通道数4分辨率（位）11 b采样率（每秒）200M数据接口串行，并联供电电压源模拟和数字电压 - 供电1.7V ~ 1.9V工作温度-40°C ~ 85°C
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ADS58C48IPFPR.pdf
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STL130N6F7-TI(德州仪器)
- 产品类型ADC/DAC-专用型
- 型号STL130N6F7
- 封装规格PowerFLAT-5x6
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL130N6F7封装PowerFLAT-5x6类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)130A功率(Pd)4.8W；125W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)42nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@…
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STL130N6F7.pdf
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STL9P3LLH6-TI(德州仪器)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STL9P3LLH6
- 封装规格PowerFLAT(3.3x3.3)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL9P3LLH6封装PowerFLAT(3.3x3.3)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.615nF@25…
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STL9P3LLH6.pdf
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STD25N10F7-TI(德州仪器)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STD25N10F7
- 封装规格TO-252-2(DPAK)
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD25N10F7封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)25A功率(Pd)40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,12.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)920pF@50V…
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STD25N10F7.pdf
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STF13NM60N-TI(德州仪器)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STF13NM60N
- 封装规格TO-220F-3
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13NM60N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
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STF13NM60N.pdf
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STF24N60M2-TI(德州仪器)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STF24N60M2
- 封装规格TO-220FP
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF24N60M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V工作温度…
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STF24N60M2.pdf
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STP16NF06L-TI(德州仪器)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STP16NF06L
- 封装规格TO-220
- 品牌TI(德州仪器)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@5V输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V工作温度-55℃…
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STP16NF06L.pdf
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