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MICRONE(南京微盟)

MICRONE(南京微盟)

南京微盟电子有限公司创建于1999年,是一家从事专用模拟集成电路芯片产品的研制\开发和销售的高新技术企业.产品应用于信息家电\无线通信\数字通讯和网络技术等领域. 公司主要经营电源管理产品的开发和销售\主要产品包括LDO系列,DC/DC系列\LED DRIVER\AC/DC系列\锂电管理\电压检测系列\CHARGE PUMP\MOSFET系列等.为电子设备中的主芯片及相关器件提供优质稳定的电源解决方案.
MEL7112PG-N

MEL7112PG-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型LED驱动
  • 型号MEL7112PG-N
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述欠压保护 2.5V 输入电压 2.7-5.5V 输出电流 120mA 待机电流 140uA 热关断保护 140℃高精度 5% 封装 SOT-89 (线性恒流)LED驱动芯片 品牌 MICRONE南京微盟 MEL7112PG-N 系列 MEL7112
  • PDF MEL7112PG-N.pdf
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MEL7126PG-N

MEL7126PG-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型LED驱动
  • 型号MEL7126PG-N
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述欠压保护 2.5V 输入电压 2.7-5.5V 输出电流 260mA 待机电流 140uA 热关断保护 140℃高精度 5% 封装 SOT-89 (线性恒流)LED驱动芯片 品牌 MICRONE南京微盟 MEL7126PG-N 系列 MEL7126
  • PDF MEL7126PG-N.pdf
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ME8608BDSPG-N

ME8608BDSPG-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型LED驱动
  • 型号ME8608BDSPG-N
  • 封装规格SOP-8-EP
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 580V 输入电压 5.0V 输出电流 5-60mA 功耗 1.98W工作温度范围 -40 85 封装 SOP-8-EP (单通道线性恒流)LED驱动芯片 品牌MICRONE南京微盟 ME8608BDSPG-N 系列 ME8608
  • PDF ME8608BDSPG-N.pdf
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MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2301XG
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2301XG 系列 MEM2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
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MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2302XG
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 850mV@250uA 电流 3A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2302XG 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
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MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2310XG
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2310XG 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
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MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2303M3G
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 58mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2303M3G 系列 MEM2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
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MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2310M3G
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2310M3G 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
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MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2302M3G
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 850mV@250uA 电流 3A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2302M3G 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
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MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2307XG
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.1A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2307XG 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
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MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2307M3G
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.1A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2307M3G 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
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MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2302XG-N
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 850mV@250uA 电流 3A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2302XG-N 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
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MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2402K3G
  • 封装规格TO-252
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 15A 功率(Pd) 23W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 36mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2402K3G 系列 MEM2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
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MEM4N60A3G

MEM4N60A3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM4N60A3G
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V 电流 4A 功率(Pd) 33W 沟道 N栅极阈值电压 4.0V 封装 "TO-220F" 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM4N60A3G 系列 MEM4N60
  • PDF MEM4N60A3G.pdf
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MEM12N65A3G

MEM12N65A3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM12N65A3G
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 650V 阈值电压(Vgs(th)@Id) RDS(ON)=0.64Ω@VGS=10V 电流 12A 功率(Pd) 51W 沟道 N栅极阈值电压 4.0V 封装 "TO-220F" 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM12N65A3G 系列 MEM12N65
  • PDF MEM12N65A3G.pdf
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MEM2313SG

MEM2313SG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2313SG
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2313SG 系列 MEM2313
  • PDF MEM2313SG.pdf
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MEM2N60A3G

MEM2N60A3G-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2N60A3G
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 600V 电压(Vgs(th)@Id) TO-220F 电流 2A 功率(Pd) 41W 沟道 N栅极阈值电压VGS(th) 4.0V 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2N60A3G 系列 MEM2N60
  • PDF MEM2N60A3G.pdf
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MEM2306SG

MEM2306SG-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号MEM2306SG
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 23mΩ@4.5V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 MICRONE南京微盟 MEM2306SG 系列 MEM2306
  • PDF MEM2306SG.pdf
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ME6211C33M5G-N

ME6211C33M5G-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型线性稳压器(LDO)
  • 型号ME6211C33M5G-N
  • 封装规格SOT-23-5
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述输入电压：1.2v-6v 输出电压：3.3v 最大输出电流：500mA 精度：±1% 封装：SOT-23-5 线性稳压器/LDO 品牌：MICRONE南京微盟 ME6211C33M5G-N
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ME6211C18M5G-N

ME6211C18M5G-N-MICRONE(南京微盟)

  • 产品类型线性稳压器(LDO)
  • 型号ME6211C18M5G-N
  • 封装规格SOT-23-5
  • 品牌MICRONE(南京微盟)
  • 描述输出电压：1.8v 输入电压：1.2v-6v 最大输出电流：500mA 精度：±1% 封装：SOT-23-5 线性稳压器/LDO 品牌：MICRONE南京微盟 ME6211C18M5G-N
  • PDF ME6211C18M5G-N.pdf
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