关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 品牌 > ST(意法半导体)
ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

意法半导体(ST)集团于1987年6月成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成.1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司.意法半导体是世界最大的半导体公司之一,公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡(五大市场占2007年销售收入的百分比)：通信(35%),消费(17%),计算机(16%),汽车(16%),工业(16%). 据最新的工业统计数据,意法半导体是全球第五大半导体厂商,在很多市场居世界领先水平.例如,意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商,世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商,而且在分立器件\手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列.
STP8NK100Z

STP8NK100Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP8NK100Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP8NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)6.5A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.85Ω@10V,3.15A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)102nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V工作…
  • PDF STP8NK100Z.pdf
在线咨询
STP24N60M2

STP24N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP24N60M2
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP24N60M2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V工作温度-…
  • PDF STP24N60M2.pdf
在线咨询
STD12NF06T4

STD12NF06T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD12NF06T4
  • 封装规格TO-252-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD12NF06T4封装TO-252-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）100 毫欧 @ 6A，10V…
  • PDF STD12NF06T4.pdf
在线咨询
STL11N3LLH6

STL11N3LLH6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL11N3LLH6
  • 封装规格VDFN-8-Power
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL11N3LLH6封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)2W；50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@5.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.69nF@2…
  • PDF STL11N3LLH6.pdf
在线咨询
STD6NF10T4

STD6NF10T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD6NF10T4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6NF10T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度-65℃~+…
  • PDF STD6NF10T4.pdf
在线咨询
STD5NK50ZT4

STD5NK50ZT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD5NK50ZT4
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5NK50ZT4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@10V输入电容(Ciss@Vds)535pF@25V…
  • PDF STD5NK50ZT4.pdf
在线咨询
STW4N150

STW4N150-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW4N150
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW4N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V
  • PDF STW4N150.pdf
在线咨询
STP62NS04Z

STP62NS04Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP62NS04Z
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP62NS04Z封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)33V连续漏极电流(Id)62A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@30A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.33nF@25V工作温度-…
  • PDF STP62NS04Z.pdf
在线咨询
STL8N10LF3

STL8N10LF3-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL8N10LF3
  • 封装规格PowerFLAT-8(5x6)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL8N10LF3封装PowerFLAT-8(5x6)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)4.3W；70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)20.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)970p…
  • PDF STL8N10LF3.pdf
在线咨询
STP3NK60ZFP

STP3NK60ZFP-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP3NK60ZFP
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP3NK60ZFP封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.2Ω@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)3.75V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)11.8nC@0~10V输入电容(Ciss@Vds)311pF@25V…
  • PDF STP3NK60ZFP.pdf
在线咨询
STP6NK60Z

STP6NK60Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP6NK60Z
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP6NK60Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@10V输入电容(Ciss@Vds)905pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP6NK60Z.pdf
在线咨询
STP40NF10

STP40NF10-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP40NF10
  • 封装规格TO-220AB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP40NF10封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输…
  • PDF STP40NF10.pdf
在线咨询
STL135N8F7AG

STL135N8F7AG-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL135N8F7AG
  • 封装规格VDFN-8-Power
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL135N8F7AG封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)130A功率(Pd)135W；4.8W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)103nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6.…
  • PDF STL135N8F7AG.pdf
在线咨询
STU7N105K5

STU7N105K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STU7N105K5
  • 封装规格TO-251(IPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STU7N105K5封装TO-251(IPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.05kV连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@2A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)380pF@100V反向传…
  • PDF STU7N105K5.pdf
在线咨询
STP16NF06

STP16NF06-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP16NF06
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)315pF@25V工作温度-55℃~…
  • PDF STP16NF06.pdf
在线咨询
STD13N60DM2

STD13N60DM2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD13N60DM2
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13N60DM2封装TO-252-2FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）365 毫欧 @ 5.5A，…
  • PDF STD13N60DM2.pdf
在线咨询
STP2N80K5

STP2N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP2N80K5
  • 封装规格TO-220-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP2N80K5封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）800 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 欧姆 @ 1A，10V不…
  • PDF STP2N80K5.pdf
在线咨询
STB15N80K5

STB15N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB15N80K5
  • 封装规格D2PAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB15N80K5封装 D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@10V,7A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100v反向传输电…
  • PDF STB15N80K5.pdf
在线咨询
STP16NF06L

STP16NF06L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP16NF06L
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@5V输入电容(Ciss@Vds)345pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP16NF06L.pdf
在线咨询
STP24N60DM2

STP24N60DM2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP24N60DM2
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP24N60DM2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@9A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.055nF@100V反向传输…
  • PDF STP24N60DM2.pdf
在线咨询
共446记录«上一页1... 181920212223下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号