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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

意法半导体(ST)集团于1987年6月成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成.1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司.意法半导体是世界最大的半导体公司之一,公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡(五大市场占2007年销售收入的百分比)：通信(35%),消费(17%),计算机(16%),汽车(16%),工业(16%). 据最新的工业统计数据,意法半导体是全球第五大半导体厂商,在很多市场居世界领先水平.例如,意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商,世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商,而且在分立器件\手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列.
STFW3N150

STFW3N150-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STFW3N150
  • 封装规格TO-3PF
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STFW3N150封装TO-3PF类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)63W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STFW3N150.pdf
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STL90N10F7

STL90N10F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL90N10F7
  • 封装规格PowerFLAT-8(5x6)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL90N10F7封装PowerFLAT-8(5x6)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)70A功率(Pd)5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STL90N10F7.pdf
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STP75NF75

STP75NF75-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP75NF75
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP75NF75封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)75V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)160nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.7nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP75NF75.pdf
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STP110N8F6

STP110N8F6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP110N8F6
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP110N8F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)200W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9.13nF@40V工作温…
  • PDF STP110N8F6.pdf
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STW26NM60N

STW26NM60N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW26NM60N
  • 封装规格TO-247AC-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW26NM60N封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STW26NM60N.pdf
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STN3NF06L

STN3NF06L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN3NF06L
  • 封装规格SOT-223-4
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN3NF06L封装SOT-223-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,1.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@5V输入电容(Ciss@Vds)340pF@25V工作温度-…
  • PDF STN3NF06L.pdf
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STW33N60M2

STW33N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW33N60M2
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW33N60M2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)26A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@10V,13A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.781nF@100V工作…
  • PDF STW33N60M2.pdf
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STP26NM60N

STP26NM60N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP26NM60N
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP26NM60N封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STP26NM60N.pdf
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STN4NF20L

STN4NF20L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN4NF20L
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF20L封装SOT-223类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)1A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)900pC@10V输入电容(Ciss@Vds)150pF@25V工作温度-…
  • PDF STN4NF20L.pdf
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STB24N60DM2

STB24N60DM2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB24N60DM2
  • 封装规格D2PAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB24N60DM2封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@9A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.055nF@100V工作温度…
  • PDF STB24N60DM2.pdf
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STL130N6F7

STL130N6F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL130N6F7
  • 封装规格PowerFLAT-5x6
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL130N6F7封装PowerFLAT-5x6类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)130A功率(Pd)4.8W；125W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)42nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@…
  • PDF STL130N6F7.pdf
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STN2NF10

STN2NF10-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN2NF10
  • 封装规格SOT-223-4
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN2NF10封装SOT-223-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度…
  • PDF STN2NF10.pdf
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STD6N95K5

STD6N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD6N95K5
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6N95K5封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V工作温度-55℃~+…
  • PDF STD6N95K5.pdf
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STF14N80K5

STF14N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF14N80K5
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF14N80K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)445mΩ@6A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V工作温度-…
  • PDF STF14N80K5.pdf
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STD35P6LLF6

STD35P6LLF6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD35P6LLF6
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD35P6LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.78nF@2…
  • PDF STD35P6LLF6.pdf
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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD17NF03LT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD17NF03LT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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STH3N150-2

STH3N150-2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STH3N150-2
  • 封装规格H2PAK-2
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STH3N150-2封装H2PAK-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
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STN4NF03L

STN4NF03L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN4NF03L
  • 封装规格SOT-223-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN4NF03L封装SOT-223-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)6.5A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)330pF@25V工作温度-55…
  • PDF STN4NF03L.pdf
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STD13N60M2

STD13N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD13N60M2
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13N60M2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作温度-5…
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