Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Todos los productos > Memoria > DDR SDRAM
H5TQ4G63EFR-RDC

H5TQ4G63EFR-RDC-HYNIX(海力士)

  • TipoDDR SDRAM
  • ModeloH5TQ4G63EFR-RDC
  • PaqueteFBGA-96
  • FabricanteHYNIX(海力士)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB Organización de memoria - frecuencia de reloj 800mhz voltaje 1,5v temperatura de trabajo - 0 ~ + 95 ℃ encapsulamiento fbga - 96 DDR SDRAM marca Hynix (hynix) modelo h5tq4g63efr - RDC
  • PDF H5TQ4G63EFR-RDC.pdf
Consulta
H5TQ4G83EFR-RDC

H5TQ4G83EFR-RDC-HYNIX(海力士)

  • TipoDDR SDRAM
  • ModeloH5TQ4G83EFR-RDC
  • PaqueteFBGA-78
  • FabricanteHYNIX(海力士)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB Organización de memoria 512m * 8 frecuencia de reloj 800mhz voltaje 1,5v temperatura de trabajo - 0 ~ + 95 ℃ encapsulamiento fbga - 78 DDR SDRAM marca Hynix (hynix) modelo h5tq4g83efr - RDC
  • PDF H5TQ4G83EFR-RDC.pdf
Consulta
H5AN8G6NCJR-VKC

H5AN8G6NCJR-VKC-HYNIX(海力士)

  • TipoDDR SDRAM
  • ModeloH5AN8G6NCJR-VKC
  • PaqueteFBGA-96
  • FabricanteHYNIX(海力士)
  • DescripciónOrganización de memoria de 8GB de capacidad de almacenamiento - frecuencia de reloj - tensión 1,2v temperatura de funcionamiento - encapsulamiento fbga - 96 DDR SDRAM marca Hynix (hynix) modelo h5an8g6ncjr - vkc
  • PDF H5AN8G6NCJR-VKC.pdf
Consulta
H5AN4G6NBJR-VKC

H5AN4G6NBJR-VKC-HYNIX(海力士)

  • TipoDDR SDRAM
  • ModeloH5AN4G6NBJR-VKC
  • PaqueteFBGA-96
  • FabricanteHYNIX(海力士)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB Organización de memoria - frecuencia de reloj - voltaje 1,2v temperatura de trabajo 0 ° a 90 ° encapsulamiento fbga - 96 DDR SDRAM marca Hynix (hynix) modelo h5an4g6nbjr - vkc
  • PDF H5AN4G6NBJR-VKC.pdf
Consulta
H5TC4G63EFR-PBA

H5TC4G63EFR-PBA-HYNIX(海力士)

  • TipoDDR SDRAM
  • ModeloH5TC4G63EFR-PBA
  • PaqueteBGA-96(7.5x13)
  • FabricanteHYNIX(海力士)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB Organización de memoria 512m * 8 frecuencia de reloj 800m voltaje 1,5v temperatura de trabajo 0 ° a 90 ° encapsulamiento bga - 96 (7.5x13) DDR SDRAM marca Hynix (hynix) modelo h5tc4g63efr - PBA
  • PDF H5TC4G63EFR-PBA.pdf
Consulta
H5AN8G8NCJR-VKC

H5AN8G8NCJR-VKC-HYNIX(海力士)

Consulta
H5TQ4G63EFR-RDI

H5TQ4G63EFR-RDI-HYNIX(海力士)

Consulta
H5TC4G63EFR-RDA

H5TC4G63EFR-RDA-HYNIX(海力士)

Consulta
H5AN4G6NBJR-UHC

H5AN4G6NBJR-UHC-HYNIX(海力士)

Consulta
H5TC2G63GFR-PBA

H5TC2G63GFR-PBA-HYNIX(海力士)

Consulta
Total 16 Records«Prev12Next»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.