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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
STW4N150

STW4N150-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW4N150
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW4N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V
  • PDF STW4N150.pdf
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STP62NS04Z

STP62NS04Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP62NS04Z
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP62NS04Z封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)33V连续漏极电流(Id)62A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@30A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.33nF@25V工作温度-…
  • PDF STP62NS04Z.pdf
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STL8N10LF3

STL8N10LF3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL8N10LF3
  • PaquetePowerFLAT-8(5x6)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL8N10LF3封装PowerFLAT-8(5x6)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)4.3W；70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@4A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)20.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)970p…
  • PDF STL8N10LF3.pdf
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STP3NK60ZFP

STP3NK60ZFP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP3NK60ZFP
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP3NK60ZFP封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.2Ω@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)3.75V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)11.8nC@0~10V输入电容(Ciss@Vds)311pF@25V…
  • PDF STP3NK60ZFP.pdf
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STP6NK60Z

STP6NK60Z-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP6NK60Z
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP6NK60Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@10V输入电容(Ciss@Vds)905pF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP6NK60Z.pdf
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STP40NF10

STP40NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP40NF10
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP40NF10封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,25A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输…
  • PDF STP40NF10.pdf
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STL135N8F7AG

STL135N8F7AG-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL135N8F7AG
  • PaqueteVDFN-8-Power
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL135N8F7AG封装VDFN-8-Power类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)130A功率(Pd)135W；4.8W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)103nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6.…
  • PDF STL135N8F7AG.pdf
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STU7N105K5

STU7N105K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTU7N105K5
  • PaqueteTO-251(IPAK)
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STU7N105K5封装TO-251(IPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.05kV连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@2A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)380pF@100V反向传…
  • PDF STU7N105K5.pdf
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STP16NF06

STP16NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP16NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP16NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)315pF@25V工作温度-55℃~…
  • PDF STP16NF06.pdf
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STD13N60DM2

STD13N60DM2-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD13N60DM2
  • PaqueteTO-252-2
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13N60DM2封装TO-252-2FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）365 毫欧 @ 5.5A，…
  • PDF STD13N60DM2.pdf
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