El 1 de agosto, el fabricante de chips de memoria Kioxia anunció que su planta Fab 2 (K2) en Kitakami, Prefectura de Iwate, Japón, se completó en julio. K2 es la segunda planta de fabricación de NAND flash de Kioxia en Kitakami, y su finalización marca un paso significativo en los esfuerzos de la empresa por responder a la recuperación de la demanda del mercado. Kioxia planea comenzar las operaciones en la planta K2 en el otoño de 2025, monitoreando de cerca las tendencias del mercado de NAND flash e invirtiendo capital de manera gradual.

Aunque la producción de NAND Flash en la planta K2 no comenzará hasta 2025, Kioxia ya ha completado un edificio administrativo adyacente. Algunos departamentos administrativos e ingenieriles están programados para mudarse a partir de noviembre de 2024 para supervisar las operaciones de las instalaciones de producción de Fab 2. Es notable que parte de la inversión para Fab 2 fue subvencionada por el gobierno japonés, como se aprobó en un plan de febrero de 2024.

A principios de este año, Kioxia y Western Digital anunciaron que sus plantas de fabricación conjuntas en Yokkaichi y Kitakami habían recibido subsidios gubernamentales por un monto de 150 mil millones de yenes. Estos fondos apoyarán la producción de la última generación de 3D NAND y procesos de nodo avanzado de próxima generación. Esta es la segunda vez que la empresa conjunta de Kioxia y Western Digital recibe subsidios del gobierno japonés, ya que la planta de Yokkaichi recibió 92.9 mil millones de yenes en subsidios en 2022.

Kioxia enfatizó su compromiso de aprovechar las oportunidades en el mercado de NAND flash para satisfacer la creciente demanda de aplicaciones de inteligencia artificial y centros de datos. La empresa planea realizar inversiones de capital alineadas con las tendencias del mercado en el momento adecuado, demostrando su firme determinación de impulsar la innovación tecnológica y la expansión del mercado.