El 24 de julio, Sanan Semiconductor anunció la llegada de equipos a su segunda planta de chips, M6B, marcando el inicio inminente de la segunda fase de su proyecto de carburo de silicio (SiC). Este hito sienta una base sólida para la acelerada implementación de la industrialización de SiC de 8 pulgadas y el inicio formal de las líneas de producción.

El proyecto de SiC de Hunan de Sanan Semiconductor tiene una inversión total de 16 mil millones de RMB, con el objetivo de establecer una plataforma de producción en masa verticalmente integrada compatible con SiC de 6 pulgadas y 8 pulgadas. Una vez que alcance su capacidad de producción total, el proyecto tendrá la capacidad de fabricar anualmente 360,000 obleas de SiC de 6 pulgadas y 480,000 obleas de SiC de 8 pulgadas. Según los planes de Sanan Semiconductor, para diciembre de este año, M6B logrará una activación exitosa de la línea, con chips de SiC de 8 pulgadas entrando oficialmente en producción en masa. Esta transformación posicionará a Hunan Sanan Semiconductor como un fabricante verticalmente integrado de SiC de 8 pulgadas.

La llegada de equipos a M6B marca un hito significativo en la segunda fase del proyecto de SiC de Hunan Sanan, señalando la cuenta regresiva para la producción masiva de chips de SiC de 8 pulgadas. Este movimiento no solo mejorará la competitividad de Sanan Semiconductor en el mercado de SiC, sino que también impulsará el desarrollo de la industria de SiC nacional. Sanan Semiconductor apunta a lograr una fabricación eficiente de obleas de SiC a través de un modelo de producción verticalmente integrado, satisfaciendo la demanda del mercado de semiconductores de potencia de alto rendimiento.

Mientras tanto, el proyecto de SiC de Sanan Semiconductor en Chongqing también está avanzando de manera constante. El proyecto de SiC de Chongqing Sanan STMicroelectronics tiene una inversión total planificada de aproximadamente 30 mil millones de RMB. Una vez que alcance su capacidad de producción total, se convertirá en la primera línea de fabricación de obleas y sustratos de SiC de 8 pulgadas en el país, con una capacidad de producción anual de 480,000 sustratos de SiC de 8 pulgadas y chips de potencia MOSFET de grado automotriz. Se espera que el proyecto genere ingresos anuales de 17 mil millones de RMB. La implementación exitosa de