Nexperia planea invertir 200 millones de dólares para desarrollar semiconductores de banda prohibida ancha de próxima generación, como carburo de silicio y nitruro de galio, y para establecer una infraestructura de producción en su planta de Hamburgo en Alemania.

A partir de junio de 2024, Nexperia desarrollará y producirá tres dispositivos de proceso (SiCGaN y Si) en Alemania para satisfacer la demanda de semiconductores de potencia de alta eficiencia.

La inversión también se utilizará para mejorar la automatización de la infraestructura existente en la planta de Hamburgo en Alemania y ampliar la capacidad de las obleas de 8 pulgadas, lo que ampliará el área de sala limpia y construirá un nuevo laboratorio de investigación y desarrollo para garantizar una transición sin problemas de la investigación a la producción.

Achim Kempe, Chief Operating Officer y Director General de Nexperia Alemania, dijo: "En el futuro, la fábrica de Hamburgo de la compañía cubrirá toda la gama de semiconductores de banda ancha, mientras que seguirá siendo la mayor fábrica de transistores y diodos de señal pequeña.

La fábrica de Nexperia en Hamburgo cubrirá toda la gama de semiconductores de banda prohibida ancha y planea construir líneas de producción de 8 pulgadas para MOSFET de SiC y HEMT de GaN de bajo voltaje en los próximos dos años.