Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889 Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
Casa > Fabricante > CYPRESS(赛普拉斯)
CYPRESS(赛普拉斯)

CYPRESS(赛普拉斯)

S34ML08G101TFA000

S34ML08G101TFA000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML08G101TFA000
  • PaqueteTFSOP-48
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB la memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tfsop - 48 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml08g101 tfa000
  • PDF S34ML08G101TFA000.pdf
S34MS02G200GHI000

S34MS02G200GHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34MS02G200GHI000
  • PaqueteVFBGA-67
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 2GB la memoria organiza 256m x 8 frecuencias de reloj - voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento vfbga - 67 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ms02g200ghi000
  • PDF S34MS02G200GHI000.pdf
S34ML01G100TFI000

S34ML01G100TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML01G100TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml01g100 tfi000
  • PDF S34ML01G100TFI000.pdf
S34MS08G201BHI000

S34MS08G201BHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34MS08G201BHI000
  • PaqueteBGA-63(9x11)
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 8GB memoria organiza 1G x 8 frecuencia de reloj - voltaje 1,7v a 1,95v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 (9x11) Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ms08g201bhi000
  • PDF
S34ML04G100TFI000

S34ML04G100TFI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML04G100TFI000
  • PaqueteTSOP-48-18.4mm
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 4GB memoria organiza 512m x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento tsop - 48 - 18,4 mm Nand flash marca Cypress (cypress) modelo s34ml04g100 tfi000
  • PDF S34ML04G100TFI000.pdf
S34ML01G100BHI000

S34ML01G100BHI000-CYPRESS(赛普拉斯)

  • TipoNAND FLASH
  • ModeloS34ML01G100BHI000
  • PaqueteBGA-63
  • FabricanteCYPRESS(赛普拉斯)
  • DescripciónCapacidad de almacenamiento 1GB la memoria organiza 128M x 8 frecuencia de reloj - voltaje 2,7v a 3,6v temperatura de trabajo - 40 ° C a 85 ° c (ta) encapsulamiento bga - 63 Nand flash marca Cypress (cypras) modelo s34ml01g100 bhi000
  • PDF S34ML01G100BHI000.pdf
CY8C21334-24PVXIT

CY8C21334-24PVXIT-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C21434-24LTXI

CY8C21434-24LTXI-CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C68013A-128AXC

CY7C68013A-128AXC-CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C68013A-56LTXC

CY7C68013A-56LTXC-CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C68013A-56PVXC

CY7C68013A-56PVXC-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4014LQI-421T

CY8C4014LQI-421T-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4245AXI-483

CY8C4245AXI-483-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4146AZI-S423

CY8C4146AZI-S423-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4014SXI-421

CY8C4014SXI-421-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4245LQI-483

CY8C4245LQI-483-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C5868AXI-LP035

CY8C5868AXI-LP035-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4014PVI-422T

CY8C4014PVI-422T-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4125LQI-S423

CY8C4125LQI-S423-CYPRESS(赛普拉斯)

CY8C4014LQI-422

CY8C4014LQI-422-CYPRESS(赛普拉斯)

Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.